芯片内部探秘 火烧三星K9LAG闪存芯片

　　芯片的背面就显示出了纯度为99.9999%的硅单质的灰黑色,具有金属光泽,但它是非金属.除了硅(Si)外,还有锗(Ge)等。




　　此时还没有见到它的庐山真面目呢，还需要用小刀非常非常非常非常仔细地把芯片上的褐色的膜刮掉。

　　怎么样？美吧？像防伪标记似的，转动不同的角度能变幻出不同的颜色。查了资料，那层褐色的膜有可能是二氧化硅（沙子的主要成分），英特尔的资料如下：

　　由于二氧化硅（SO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。当英特尔导入65纳米制造工艺时，虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。为解决此关键问题，英特尔正规划改用较厚的High-K材料(铪hafnium元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功使漏电量降低10倍以上。




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